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  •  論文>電氣自動化/電力論文>空間高能帶電粒子輻射損傷數值模擬研究

    空間高能帶電粒子輻射損傷數值模擬研究

      
    編號:99-583262 | doc 格式 | 2.89M | 49 頁
    空間高能帶電粒子輻射損傷數值模擬研究


    16343字 49頁 原創作品,已通過查重系統

    摘 要

    隨著探月工程、火星探險等深空探測任務的提出、實施,航天活動在時間上的延長、空間上的延伸,尤其是載人航天工程的開展,深空輻射帶來的輻射危險和防護問題日益突出。
    總劑量輻射效應對半導體器件的損傷及其嚴重,因此,本文介紹了有關總劑量輻射效應的產生機制以及表征。利用Sentaurus TCAD仿真軟件對MOS器件建模,并編程來對HfO2/SiO2疊柵MOS器件的輻照損傷進行模擬。通過仿真,并在有無輻照的兩種環境下,得到了模擬器件的物理參數以及CV特性曲線圖。從CV特性曲線圖上提取平帶電壓的漂移量,通過計算得出不同輻照劑量下的氧化層陷阱電荷量,找出輻照劑量與氧化層陷阱電荷量的關系變化規律。
    研究得到:輻照對器件內部電場分布、空穴電流密度、電子密度以及空間電荷的分布沒有決定性影響,卻對它們的大小產生了較為明顯的影響。主要是增大了空穴電流密度、電子密度和空間電荷的大小,使電場強度略微降低。同時,輻照在介質中還產生了正的氧化層陷阱電荷,且氧化層陷阱電荷量隨著輻照劑量的增加而近似線性增加。


    關鍵詞:空間輻射;HfO2/SiO2;總劑量效應;陷阱電荷;數值模擬

      
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