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  •  論文>電氣自動化/電力論文>Al2O3介質MOS結構的總劑量輻照損傷效應數值模擬

    Al2O3介質MOS結構的總劑量輻照損傷效應數值模擬

      
    編號:99-583281 | docx 格式 | 479.15K | 49 頁
    Al2O3介質MOS結構的總劑量輻照損傷效應數值模擬

    2萬字 52頁 原創作品,已通過查重系統



    摘 要

    火箭、衛星、宇宙飛船等要受到宇宙射線的輻射;核電站、核潛艇等時刻要受到核輻射的影響。而這些設備中不可或缺的MOS器件在輻射的影響下均會受到損傷。隨著Al2O3介質MOS器件發展的越來越迅速,其在輻射中受到的影響程度稱為研究的焦點。
    經過研究,閾值電壓漂移時MOS器件在輻射環境下工作中受到損傷后最主要的損傷。所以本文利用仿真軟件,模擬了Al2O3介質MOS結構在總劑量輻照損傷下的閾值電壓漂移。本文在器件結構確定的情況下,模擬器件在受到輻射和未受到輻射兩種情況下,受到相同的的總劑量輻射,得到器件的CV曲線。
    接著從CV曲線上可以提取出閾值電壓漂移。再據此算出每個輻照劑量下的氧化層陷阱電荷量。找到氧化層陷阱電荷隨著輻照劑量的變化規律。

    關鍵詞: 空間輻射;總劑量效應;陷阱電荷;數值模擬

      
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