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    SiO2介質MOS結構的總劑量輻照損傷效應數值模擬

      
    編號:99-583283 | doc 格式 | 1.59M | 51 頁
    SiO2介質MOS結構的總劑量輻照損傷效應數值模擬


    2萬字 53頁 原創作品,已通過查重系統


    摘 要

    半導體集成電路在我們的生活中的應用已經十分廣泛了,而它的重要組成部分MOS結構又是半導體器件中的核心。而在這之中,使用最為廣泛,技術最為成熟,時間最長的,就是SiO2介質的MOS結構器件。
    半導體器件容易受到輻射的干擾而失效,嚴重的甚至會損壞電路。這是由于輻射會在半導體器件上產生總劑量效應,而總劑量效應就會使半導體器件的內部發生物理變化,從而導致損傷的發生。
    本文使用了Sentaurus TCAD軟件建立物理模型,研究探討了SiO2介質MOS器件在伽馬射線的輻照下的總劑量效應與內在的物理變化。研究表明,輻照使電子電流密度輻照后最高點的數量級增加了3個數量級;電子密度輻照后最高點的數量級增加了1個數量級;空穴電流密度輻照后的數量級最高點增加了3個數量級;空間電荷輻照后最高點的數量級增加了1個數量級。
    另外,也可得出輻照在介質中產生了正的氧化層陷阱電荷量,陷阱電荷的數量級為1011~1012cm-2,且輻射越強則氧化層陷阱電荷量就越多,MOS器件的損傷也就越大的結論,希望這個結論能有助于抗輻照水平研究的提高。



    關鍵詞:SiO2,Sentaurus TCAD,MOS,總劑量效應


      
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