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  •  論文>電氣自動化/電力論文>HfO2介質MOS結構的總劑量輻照損傷效應數值模擬

    HfO2介質MOS結構的總劑量輻照損傷效應數值模擬

      
    編號:99-583285 | doc 格式 | 1.20M | 43 頁
    HfO2介質MOS結構的總劑量輻照損傷效應數值模擬


    1.9萬字 43頁 原創作品,已通過查重系統


    摘 要

    隨著人類對宇宙的探索的逐步加深,宇宙空間輻射對航天器件的輻照損傷成為不可忽略的問題,而傳統的SiO2材料已經不能滿足現今MOS器件的要求,隨著HfO2介質MOS器件的迅速發展,其在輻射中受到的影響程度成為研究的重點。
    所以本文利用SentaurusTCAD仿真軟件模擬了HfO2介質MOS結構在總劑量輻照損傷特性。在器件結構確定的情況下,模擬器件在未受到輻射和受到輻射兩種情況的器件特征參數變化,并得出數據繪出CV曲線,根據公式算出每個輻照劑量下的氧化層陷阱電荷量,找到氧化層陷阱電荷隨著輻照劑量的變化規律。
    研究表明, 輻照對器件內部電場分布、空穴電流密度、電子密度以及空間電荷的分布沒有很大影響,卻對它們的大小產生了較為明顯的影響。主要是增大了空穴電流密度、電子密度和空間電荷的大小,使電場強度略微降低。同時,輻照在介質中還產生了正的氧化層陷阱電荷,數量級為1010cm-2~1012cm-2,且氧化層陷阱電荷量隨著輻照劑量的增加而近似線性增加。

    關鍵詞:空間輻射,HfO2,總劑量效應,陷阱電荷,數值模擬
      
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